型号:

IRFZ48ZSPBF

RoHS:无铅 / 符合
制造商:International Rectifier描述:MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
IRFZ48ZSPBF PDF
产品目录绘图 IR Hexfet D2PAK
标准包装 50
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 61A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 11 毫欧 @ 37A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 64nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1720pF @ 25V
功率 - 最大 91W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装 D2PAK
包装 管件
产品目录页面 1521 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 *IRFZ48ZSPBF
相关参数
IRFB5615PBF International Rectifier MOSFET N-CH 150V 35A TO-220AB
0097-0550-18 Laird Technologies EMI BECU ALLOY FINGERSTOCK GASKET
IRFS3004TRL7PP International Rectifier MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK7
3021001 Wurth Electronics Inc GASKET FABRIC/FOAM 10X1MM RECT
IRFS3004TRL7PP International Rectifier MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK7
3020605 Wurth Electronics Inc GASKET FABRIC/FOAM 5X6MM RECT
IRFS3004TRL7PP International Rectifier MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK7
3020504 Wurth Electronics Inc GASKET FABRIC/FOAM 4X5MM RECT
IRF1010EZPBF International Rectifier MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
3021003 Wurth Electronics Inc GASKET FABRIC/FOAM 3X10MM RECT
PSMN035-150P,127 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 150V 50A SOT78
4106-S Laird Technologies EMI ABSORBER FR .500" 4"X6"
PSMN035-150P,127 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 150V 50A SOT78
3020802 Wurth Electronics Inc GASKET FABRIC/FOAM 2X8MM RECT
3020702 Wurth Electronics Inc GASKET FABRIC/FOAM 2X7MM RECT
IRF6718L2TR1PBF International Rectifier MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6
3020603 Wurth Electronics Inc GASKET FABRIC/FOAM 3X6MM RECT
AD8340ACPZ-REEL7 Analog Devices Inc IC MOD VECT 700-1000MHZ 24LFCSP
631NT91-7-NH Honeywell Sensing and Control NT TOGGLE SW PANEL STAND-OFF
IRF6718L2TR1PBF International Rectifier MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6